本学 陽東キャンパスで開催された電気学会電子デバイス研究会(協賛: 電気学会 拡大する電磁波利用を支える先進的技術調査専門委員会)にて、M1 金乙君、M1 木村君、M1 米田君が研究成果発表を行いました。
発表題目は、それぞれ「高Qかつ良好なスプリアス特性を有する30GHz帯高温超電導共平面形Hスロット共振器の設計」、「複素誘電率評価用サブTHz帯円筒空洞共振器の励振構造が共振特性に及ぼす影響の検討」、「円筒空洞共振器法による薄形フィルムのミリ波複素誘電率測定に関する一検」でした。
３人とも初の学外発表です。例によって、本番にピークを持ってくる伝統がつたわり、当日までハラハラしましたが、質疑もそれなりにこなしていました。更なるスキルアップを目指してください。
さらに、昨年度の同研究会での発表が評価されたM2 高萩君が平成30年度技術委員会奨励賞を受賞しました。
おめでとうございます。今後も頑張っていきましょう。
